ENGLISH受賞 : 第33回（2017） 京都賞（先端技術部門）受賞―三村�盪峪瓠奮�式会社富士通研究所 名誉フェロー）
投稿日時： 2017-7-26 11:10:00 (1483 ヒット)
本学理学部物理学科卒業の三村�盪峪瓠奮�式会社富士通研究所 名誉フェロー）が，第33回（2017）京都賞（先端技術部門）を受賞されました。
高電子移動度トランジスタの発明とその開発による情報通信技術の発展への貢献2種類の半導体を積層化した新構造の「高電子移動度トランジスタ（HEMT）」を発明し、伝導層内の電子移動度が高くなるため優れた高周波特性を持つことを示しました。
この発明により、情報通信技術の発展に大きく貢献するとともに、極薄伝導層内の電子の物性研究の進展にも寄与したため、今回の受賞に至りました。
【プロフィール】
半導体工学者、工学博士、株式会社富士通研究所 名誉フェロー 、情報通信研究機構 未来ICT研究所 統括特別研究員
関西学院大学理学部物理学科卒業、大阪大学大学院基礎工学研究科修士課程修了
紫綬褒章、恩賜発明賞、IEEEモーリス・N・リーブマン記念賞等受賞