ページ先頭に戻る
講演会 : 2017年12月7日 三村盪峪 名誉博士学位記授与式・講演会
投稿日時: 2017-11-21 13:28:37 (204 ヒット)

理工学部は、第33回(2017)京都賞(先端技術部門)を受賞された本学理学部物理学科卒業の三村盪峪瓠奮式会社富士通研究所 名誉フェロー)をお招きし、名誉博士学位を贈呈致します。
授与式に引き続き、記念講演会を下記の通り、開催致します。


講演者三村 盪 氏
講演題目「企業における研究開発-高速トランジスタHEMTを例として-」
日時2017年 12月 7日(木) 15:20〜16:50
場所神戸三田キャンパス 理工学部4号館 4F401号教室

詳しいプログラムについては、チラシをご覧ください。

三村盪峪瓩蓮高電子移動度トランジスタの発明とその開発による情報通信技術の発展への貢献2種類の半導体を積層化した新構造の「高電子移動度トランジスタ(HEMT)」を発明し、伝導層内の電子移動度が高くなるため優れた高周波特性を持つことを示しました。
この発明により、情報通信技術の発展に大きく貢献するとともに、極薄伝導層内の電子の物性研究の進展にも寄与したため、今回の京都賞(先端技術部門)受賞に至りました。

多数のご参加をお待ちしております。
参加費、事前申し込みは共に不要です。

Copyright © 2006-2015 School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University