お知らせ - 関西学院大学理工学部

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講演会 : 2012年1月28日末光眞希氏「3C-SiC/Si基板上エピタキシャルグラフェンの成長と構造・物性制御」

投稿日時： 2012-1-18 22:00:00 (1807 ヒット)

理工学部では、次のとおり理工学部講演会を開催いたします。

講演者	末光　眞希氏　（東北大学電気通信研究所　教授）
講演題目	「3C-SiC／Si基板上エピタキシャルグラフェンの成長と構造・物性制御」
日時	2012年1月28日（土） 15:00～16：30
場所	神戸三田キャンパス　理工学部本館　３Ｆ３１１号教室

多数のご参加をお待ちしております。
参加費、事前申し込みは共に不要です。