ENGLISH講演会 : 2012年1月13日 日比野浩樹氏、影島博之氏「SiC上でのグラフェンの成長と...」
投稿日時： 2012-1-12 13:12:28 (1831 ヒット)
理工学部では、次のとおり理工学部講演会を開催いたします。
| 講演者 | (1)日比野 浩樹氏 （NTT基礎研究所） |
| (2)影島 博之氏 （NTT基礎研究所） | |
| 講演題目 | (1)「SiC上でのグラフェンの成長と電気伝導特性」 |
| (2)「第一原理計算からみたSiC上でのグラフェン成長」 | |
| 日時 | 2012年1月13日（金） 15:00〜17：00 |
| 場所 | 神戸三田キャンパス 理工学部本館 ３Ｆ３１１号教室 |
多数のご参加をお待ちしております。
参加費、事前申し込みは共に不要です。