講演会 : 2012年1月13日 日比野浩樹氏、影島博之氏「SiC上でのグラフェンの成長と...」
投稿日時: 2012-1-12 13:12:28 (1872 ヒット)
理工学部では、次のとおり理工学部講演会を開催いたします。
講演者 | (1)日比野 浩樹氏 (NTT基礎研究所) |
(2)影島 博之氏 (NTT基礎研究所) | |
講演題目 | (1)「SiC上でのグラフェンの成長と電気伝導特性」 |
(2)「第一原理計算からみたSiC上でのグラフェン成長」 | |
日時 | 2012年1月13日(金) 15:00〜17:00 |
場所 | 神戸三田キャンパス 理工学部本館 3F311号教室 |
多数のご参加をお待ちしております。
参加費、事前申し込みは共に不要です。