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講演会 : 2012年1月13日 日比野浩樹氏、影島博之氏「SiC上でのグラフェンの成長と...」
投稿日時: 2012-1-12 13:12:28 (1344 ヒット)

理工学部では、次のとおり理工学部講演会を開催いたします。


講演者(1)日比野 浩樹氏 (NTT基礎研究所)
(2)影島 博之氏 (NTT基礎研究所)
講演題目(1)「SiC上でのグラフェンの成長と電気伝導特性」
(2)「第一原理計算からみたSiC上でのグラフェン成長」
日時2012年1月13日(金) 15:00〜17:00
場所神戸三田キャンパス 理工学部本館 3F311号教室


多数のご参加をお待ちしております。
参加費、事前申し込みは共に不要です。

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