2002

(1)I. Takahashi, T. Kada, H. Shimazu, A. Kitahara, S. Doi, H. Terauchi, K. Nomura, N. Awaji, and S. Komiya ：Novel ordered structure in oxide layer grown on Si(100): an effect of oxynitridation，2002/1/27，The Third International Conference on Synchrotron Radiation in Material Science (Singapore)

(2)高橋功：ULSI用ゲート酸化膜の界面構造， 2002年3月14日，Spring-8産業利用成果報告会～素材・エレクトロニクス分野における薄膜解析(神戸)

(3)北原周，加田敏照，高橋功：X線反射率を用いたポリスチレン表面の観察， 2002年3月25日，日本物理学会年次大会(立命館大学)（口頭発表）

(4)島津裕允，高橋功，大庭卓也：X線反射率法によるマルテンサイト相変態時の表面変化の観察， 2002年3月26日，日本物理学会年次大会(立命館大学)（口頭発表）

(5)北原周，井上公治，吉川寛之，松下聖彦，高橋功：Ｘ線反射率を用いたポリスチレン表面の観察II， 2002年9月6日，日本物理学会(中部大学)（口頭発表）

(6)秋重幸邦，釜田美紗子，深野勝洋，重松宏武，松下聖彦，高橋功：Ba添加Sr2Nb2O7の相転移II， 2002年9月9日，日本物理学会(中部大学)

(7)北原周，上石直哉，高橋功：Ｘ線反射率法によるポリスチレン表面の構造解析， 2002年12月11日，日本結晶学会（東大）

(8)吉川寛之，高橋功：Ｘ線反射率法によるガラス表面の構造解析， 2002年12月11日，日本結晶学会（東大）

(9)松下聖彦，高橋功，阪上潔，寺内暉：SrTiO3105K相転移近傍におけるBaTiO3エピタキシャル薄膜/SrTiO3(100)界面構造の変化， 2002年12月12日，日本結晶学会（東大）（口頭発表）

(10)井上公治，高橋功：透過型X線反射率法による界面評価， 2002年12月12日，日本結晶学会（東大）（口頭発表）

(11)高橋功：Ｓｉウエハー上のゲート酸化薄膜の特性変化と界面構造， 2002年12月14日，中部・関西誘電体セミナー（岐阜大）