ENGLISHSiC材料・プロセス研究開発センター
SiC材料・プロセス研究開発研究センター
センター長
- 大谷 昇（理工学部教授）
OHTANI Noboru
研究員
- 大谷 昇（理工学部教授）
- 金子 忠昭（センター副長：理工学部教授）
- 西谷 滋人（理工学部教授）
- 玉井 尚登（理工学部教授）
- 尾崎 幸洋（理工学部教授）
研究目的
革新的な省エネルギー技術の一つとされる炭化ケイ素（SiC）半導体の材料・プロセス技術の開発に挑戦し、「サステイナブル（持続可能）」な社会の実現に貢献していく。
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