申請者氏名	Requested Supervising Professor
藤原　明比古	Akihiko FUJIWARA
研究題目	Title of the project
全溶液プロセスによる酸化物薄膜トランジスタの開発	Development of fully solution-processed oxide thin-film transistors
博士研究員への要望・専門、経験等	Qualifications for Postdoctoral Fellow including academic and non-academic background, research fields and interests
酸化物薄膜トランジスタの作製および評価に熟練し、全溶液プロセスによる高性能薄膜トランジスタ実現に強い志をもって取り組める方	Those who have professional skills in the fabrication and characterization of oxide thin-film transistors, and will put their heart into work on the fabrication of high performance fully solution-processed oxide thin-film transistors
研究計画	Details on research project
現在、半導体活性層を溶液プロセスで作製している酸化物薄膜トランジスタにおいて、第一段階として、ソース、ドレイン電極を溶液塗布によるトランジスタを作製する。第二段階として、ゲート絶縁膜とゲート電極を溶液塗布により作製することで全溶液プロセスによる酸化物薄膜トランジスタを実現する。その後、トランジスタ性能を向上し、移動度10 cm^2/Vs、on-off比10^3以上の性能を実現する。	We have currently succeeded in fabricating oxide thin-films by solution process for thin-film transistors. In our plan, the solution process will first be applied to source and drain electrodes, followed by solution-processing of gate dielectric layers and gate electrodes for fully solution-processed oxide thin-film transistors. The targeted device parameters are the mobility of 10 cm^2/Vs and the on-off ratio of 10^3 or more.
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